सामग्री
- व्याख्या - फ्लॅश मेमरी म्हणजे काय?
- मायक्रोसॉफ्ट अझर आणि मायक्रोसॉफ्ट क्लाऊडची ओळख | या संपूर्ण मार्गदर्शकामध्ये आपण क्लाउड संगणन करणे म्हणजे काय आणि मायक्रोसॉफ्ट अझर आपल्याला क्लाऊडवरून आपला व्यवसाय स्थलांतरित आणि चालविण्यात कशी मदत करू शकेल हे शिकाल.
- टेकोपीडिया फ्लॅश मेमरी स्पष्ट करते
व्याख्या - फ्लॅश मेमरी म्हणजे काय?
फ्लॅश मेमरी स्टोरेज आणि वैयक्तिक संगणक (पीसी) आणि डिजिटल डिव्हाइसमधील डेटा ट्रान्सफर करण्यासाठी वापरली जाणारी नॉन-अस्थिर मेमरी चिप आहे. यात इलेक्ट्रॉनिक रीप्रोग्राम करणे आणि मिटविण्याची क्षमता आहे. हे बर्‍याचदा यूएसबी फ्लॅश ड्राइव्हस्, एमपी 3 प्लेयर, डिजिटल कॅमेरा आणि सॉलिड-स्टेट ड्राइव्हमध्ये आढळते.
फ्लॅश मेमरी एक प्रकारची इलेक्ट्रॉनिक मिटण्याजोगा प्रोग्राम करण्यायोग्य वाचनीय मेमरी (ईईप्रोम) आहे, परंतु यूएसबी ड्राइव्ह सारखा स्टँडअलोन मेमरी स्टोरेज डिव्हाइस देखील असू शकतो. EEPROM हा डेटा मेमरी डिव्हाइसचा एक प्रकार आहे जो इलेक्ट्रॉनिक डिव्हाइस वापरुन डिजिटल डेटा मिटविण्यासाठी किंवा लिहिण्यासाठी वापरला जातो. फ्लॅश मेमरी एक वेगळ्या प्रकारचा ईईप्रोम आहे, जो मोठ्या ब्लॉकमध्ये प्रोग्राम केलेला आणि मिटविला जातो.
फ्लॅश मेमरी डेटा संचयित करण्यासाठी फ्लोटिंग गेट ट्रान्झिस्टरचा वापर समाविष्ट करते. फ्लोटिंग गेट ट्रान्झिस्टर किंवा फ्लोटिंग गेट एमओएसएफईटी (एफजीएमओएस) हे एमओएसएफईटीसारखेच आहे, जे इलेक्ट्रॉनिक सिग्नल वाढवण्यासाठी किंवा स्विच करण्यासाठी वापरलेले ट्रांझिस्टर आहे. फ्लोटिंग-गेट ट्रान्झिस्टर इलेक्ट्रिकली वेगळ्या असतात आणि डायरेक्ट करंट (डीसी) मध्ये फ्लोटिंग नोड वापरतात. फ्लॅश मेमरी मानक एमओएफएसईटी प्रमाणेच आहे, ट्रान्झिस्टरच्या एकाऐवजी दोन गेट आहेत.
मायक्रोसॉफ्ट अझर आणि मायक्रोसॉफ्ट क्लाऊडची ओळख | या संपूर्ण मार्गदर्शकामध्ये आपण क्लाउड संगणन करणे म्हणजे काय आणि मायक्रोसॉफ्ट अझर आपल्याला क्लाऊडवरून आपला व्यवसाय स्थलांतरित आणि चालविण्यात कशी मदत करू शकेल हे शिकाल.
टेकोपीडिया फ्लॅश मेमरी स्पष्ट करते
फ्लॅश मेमरी प्रथम 1980 मध्ये सादर केली गेली आणि तोशिबा कॉर्पोरेशन (टीओएसबीएफ) चे शोधक आणि मध्यम स्तरीय फॅक्टरी व्यवस्थापक डॉ. फुजिओ मसुओका यांनी विकसित केली. फ्लॅशमध्ये "" फ्लॅशमध्ये "डेटा ब्लॉक मिटविण्याच्या क्षमतेवर फ्लॅश मेमरी असे नाव देण्यात आले." डॉ. मासुओकाचा उद्देश शक्ती बंद झाल्यावर डेटा वाचविणारी मेमरी चिप तयार करणे हा होता. डॉ. मासुओका यांनी स्मृतीचा एक प्रकार शोधला ज्याला म्हणून ओळखले जाते. सॅमॉस आणि 1 एमबी डायनॅमिक रँडम accessक्सेस मेमरी (डीआरएएम) विकसित केले. 1988 मध्ये, इंटेल कॉर्पोरेशनने प्रथम व्यावसायिक एनओआर-प्रकार फ्लॅश चिप तयार केली, ज्याने पीसी मदरबोर्डवर मूलभूत इनपुट / आउटपुट ऑपरेटिंग कायमस्वरुपी रीड-ओन्ली मेमरी (रॉम) चिपची जागा घेतली. सिस्टम (BIOS).
फ्लॅश मेमरी चिप एनओआर किंवा नंद गेट्सची बनलेली असते. एनओआर हा 1988 मध्ये इंटेलने तयार केलेला मेमरी सेलचा एक प्रकार आहे. एनओआर गेट इंटरफेस संपूर्ण पत्ते, डेटा बस आणि कोणत्याही मेमरी स्थानावरील यादृच्छिक प्रवेशास समर्थन देते. एनओआर फ्लॅशचे शेल्फ लाइफ 10,000 ते 1,000,000 लिहिणे / मिटवणारे चक्र आहे.
नॉन्ड एनओआर तयार झाल्यानंतर एक वर्षानंतर तोशिबाने विकसित केले होते. हे वेगवान आहे, प्रति बिट कमी किंमत आहे, प्रति सेल कमी चिप क्षेत्र आवश्यक आहे आणि त्यात लवचीकता वाढली आहे. नॅंड गेटचे शेल्फ लाइफ अंदाजे 100,000 लिहिणे / मिटवणारे चक्र आहे. नॉर गेट फ्लॅशमध्ये प्रत्येक सेलचा शेवट थोडासा रेषेशी असतो तर दुसरा टोक जमिनीवर जोडलेला असतो. जर एखादी शब्दरेषा "उच्च" असेल तर ट्रान्झिस्टर आउटपुट बिट लाइन कमी करते.
फ्लॅश मेमरीमध्ये बरीच वैशिष्ट्ये आहेत. ईईप्रोमपेक्षा हे खूपच महाग आहे आणि स्थिर रॅम (एसआरएएम) सारख्या सॉलिड-स्टेट स्टोरेजसाठी बॅटरीची आवश्यकता नसते. हे नॉन-अस्थिर आहे, वेगवान timeक्सेस वेळ आहे आणि हार्ड डिस्क ड्राइव्हच्या तुलनेत गतीशील शॉकला जास्त प्रतिकार आहे. फ्लॅश मेमरी अत्यंत टिकाऊ असते आणि तीव्र दाब किंवा अत्यंत तापमानाचा सामना करू शकते. हे डिजिटल कॅमेरा, मोबाइल फोन, लॅपटॉप संगणक, पीडीए (वैयक्तिक डिजिटल सहाय्यक), डिजिटल ऑडिओ प्लेयर आणि सॉलिड-स्टेट ड्राइव्हस् (एसएसडी) यासारख्या अनुप्रयोगांच्या विस्तृत अ‍ॅरेसाठी वापरले जाऊ शकते.